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名称:镓铟磷砷;gallium indium arsenide phosphide GaInAsP
       四元固溶体材料。为单相固溶体。能隙在0.74~1.35eV范围,相应发射波长为0.92~165μm,折射率较低,易于实现载流子限制和光限制。在磷化铟衬底上采用外延生长法制备。大量用于制备1.3~1.6μm波段无色散、低损耗石英光纤通信中光源、量子器件等。

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