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名称:结晶氮化硅膜;crystalline silicon nitride film
分子式:Si3N4 
CAS号:

性质: 一种晶体结构绝缘膜。属六角晶系。禁带宽度3.9~4.0eV。密度3.4g/cm3。介电常数9.4。折射率2.10。电阻率1018Ω·m。腐蚀速率小于0.01nm/min。采用直接氯化、溅射、低压化学气相沉积等方法制取。对碱金属原子有强的阻挡力。用作半导体器件钝化膜

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