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化   工   词   典   内   容
 名称 磷锑化镓铟;indium gallium antimonide phosphide
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 资料
分子式：InxGa1-xSbyP1-y，  0≤x≤1  0≤y≤1 
CAS号：

性质：周期表Ⅲ、V族元素化物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延等方法制备。用于制作2μm波长附近的红外发光器件和激光器。



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  内
  容
1) 铟;indium
2) 铟;indium
3) 铟;Indium
4) 铟;indium
5) 磷化物;phosphide
6) 磷化物;phosphide
7) 锑化镓;gallium antimonide GaSb
8) 铟
9) 镓;gallium
10) 镓;gallium
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