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名称:磷砷化铝铟;indium aluminum arsenic phosphide
分子式:InxAl1-xAsyP1-y,  0≤x≤1  0≤y≤1。 
CAS号:

性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体,立方晶系闪锌矿结构,禁带宽度随x,y变化而变化。为间接带隙半导体,可在磷化铟衬底上用液相外延等方法制备,用于制作可见光与近红外发光器件和激光器件。

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