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名称:磷砷化铝镓;gallium aluminum arsenic phosphide
分子式:GaxAl1-xAsyP1-y;0≤x≤1,0≤y≤1
CAS号:

性质:周期表Ⅲ,V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构,为间接带隙半导体。可在砷化镓衬底上采用液相外延、分子束外延等方法制备。为制作可见光发光器件和激光器件的材料。

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