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 名称 磷砷化镓铟单晶;indium gallium arsenic phosphide single crystal
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 资料
分子式：InxGa1-xAsyP1-y；0≤x≤1，0≤y≤1
CAS号：

性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，室温电子迁移率0.77m2/(V·s)，空穴迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。可在磷化铟衬底上采用气相外延、液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作激光器、光探测器和场效应晶体管。



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1) 砷化镓铟单晶;indium gallium arsenide single crystal
2) 磷砷化镓单晶;gallium arsenic phosphide single crystal
3) 单晶;monocrystal;single crystal
4) 单晶体;single crystal
5) 单晶
6) 砷化镓;gallium arsenide
7) 砷化镓;gallium arsenide
8) 砷化镓;Gallium arsenide;gallium arsenide;gallium arsenide;gallium monoarsenide;gallium monoarsenide
9) 砷;Arsenic;arsen;arsenic black;arsenic metal;arsenicals;colloidal arsenic;gray arsenic;grey arsenic
10) 铟;indium
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