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名称:磷化铝镓单晶;gallium aluminum phosphide single crystal
分子式:Ga1-xAlxP;0≤x≤1 
CAS号:

性质:共价键结合,有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体,禁带宽度随z变化在2.26~2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。

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