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名称:磷化镓铟单晶;indium gallium phosphide single crystal
分子式:In1-xGaxP,0≤x≤1 
CAS号:

性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x<0.7时为直接带隙半导体,0.7≤x≤1时为间接带隙半导体;禁带宽度在1.34~2.20eV范围变化,电子迁移率6×10-2m2/(V·s)。采用外延法制备。用于制备可见光发光器件和激光器件。

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