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化 工 词 典 内 容
名称
磷化镓铟单晶;indium gallium phosphide single crystal
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资料
分子式:In
1-x
Ga
x
P,0≤x≤1
CAS号:
性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x<0.7时为直接带隙半导体,0.7≤x≤1时为间接带隙半导体;禁带宽度在1.34~2.20eV范围变化,电子迁移率6×10-2m2/(V·s)。采用外延法制备。用于制备可见光发光器件和激光器件。
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更
多
相
关
内
容
1)
单晶;monocrystal;single crystal
2)
磷化镓;gallium phosphide
3)
单晶体;single crystal
4)
单晶
5)
磷酸盐处理;磷化;phosphating
6)
铟;indium
7)
铟;indium
8)
铟;Indium
9)
铟;indium
10)
晶体;crystal
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