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 名称 磷化镓单晶;gallium phosphide single crystal GaP
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分子式:
CAS号:

性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。密度4.1297g/cm3。熔点1467℃。为间接带隙半导体,室温禁带宽度为2.26eV,本征载流子浓度2.7×106/m3。少数载流子寿命10-3~10-4μs。采用区熔或直拉法制备单晶。为可见光发光材料。



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1) 磷化镓;gallium phosphide
2) 单晶;monocrystal;single crystal
3) 单晶
4) 磷酸盐处理;磷化;phosphating
5) 镓;gallium
6) 镓;gallium
7) 单晶体;single crystal
8) 磷;红磷;白磷;黑磷;phosphorus
9) 黄磷;白磷;磷;phosphoruswhite;phosphorusyellow
10) 黄磷;白磷;磷;phosphoruswhite;phosphorusyellow
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