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化 工 词 典 内 容
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磷化镓单晶;gallium phosphide single crystal GaP
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性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。密度4.1297g/cm3。熔点1467℃。为间接带隙半导体,室温禁带宽度为2.26eV,本征载流子浓度2.7×106/m3。少数载流子寿命10-3~10-4μs。采用区熔或直拉法制备单晶。为可见光发光材料。
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内
容
1)
磷化镓;gallium phosphide
2)
单晶;monocrystal;single crystal
3)
单晶
4)
磷酸盐处理;磷化;phosphating
5)
镓;gallium
6)
镓;gallium
7)
单晶体;single crystal
8)
磷;红磷;白磷;黑磷;phosphorus
9)
黄磷;白磷;磷;phosphoruswhite;phosphorusyellow
10)
黄磷;白磷;磷;phosphoruswhite;phosphorusyellow
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