| 资料 |
分子式： GaP
CAS号：
性质：橙色透明晶体。密度4.13g/cm3。熔点1477℃。离解压力为(3.5±1)MPa。难溶于盐酸和硝酸。可溶于王水。制法:(1)由高压单晶炉液体密封直接法可制得磷化镓单晶。(2)用合成溶质扩散法(SSD法)可制得磷化镓晶体。(3)用液相外延滑动舟法生长技术可制得磷化镓薄膜单晶。(4)用Ga-PCl3-H2，Ga-HCl-PH3-H2，GaP-H2O(HCl)-H2系统的气相外延法和金属有机热分解气相生成法(MOCVD法)可制得磷化镓薄膜单晶。近年来，制出了太阳能电池用的、转换率高的InGaAsP-InP等半导体，发光二极管用的GaP、GaAsP等。采用InP与InGaAsP多层结构半导体可制得具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。
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